本次大會上，賽晶技術總監兼市場總監馬先奎就“高效高功率密度新型封裝車規級功率模塊”為主題發表演講。馬先奎先生從功率模塊應用需求談起，介紹了電動車電驅對功率模塊的技術需求，并延伸到功率模塊封裝技術實現，以及賽晶新型封裝模塊理念—“壓注封裝HEEV模塊”和車規級緊湊的六合一封裝模塊—”EVD封裝模塊“。這是賽晶面對蓬勃發展的電動車市場做出的積極回應和對服務好客戶的意愿展示。

車規級SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊

HEEV封裝SiC模塊是一款具有更高功率密度的新型封裝模塊，主要針對高端電動汽車的系統需求為電動汽車應用量身定做。即滿足高功率、輕量化和高可靠性的需求，又兼顧高性能馬達驅動的應用需求。HEEV封裝SiC模塊采用1200V SiC MOSFET芯片，適合800V高壓平臺應用。Rds(on)低至1.8mΩ@25℃，適用電驅功率高達250kW。在設計和應用上更加簡便和高效。

不僅如此，該模塊設計體積非常緊湊，有助于實現電驅的輕量化，在冷卻方面采用直接水冷，以及先進陶瓷材料降低熱阻和O型圈密封設計；在可靠性方面采用壓注模封裝，提高對環境友好性，并保證更好的功率循環壽命。此外，該模塊還采用了無銅底板技術，避免了銅底板和AMB（絕緣基片）之間大面積焊接層，以實現更高的功率循環壽命和更低的熱阻。同時，還具有雜散電感非常小，適合SiC高速開關等特點。

與業界頭部企業相同規格封裝模塊對比，在封裝尺寸/體積方面，賽晶模塊體積減小一半；在連接阻抗方面，賽晶模塊減小一半；在封裝雜散電感方面，賽晶模塊雜散電感減小1/3。

HEEV封裝SiC模塊（1200 V）與業界頭部企業相同規格封裝模塊對比主要參數

車規級緊湊的六合一封裝模塊——EVD封裝模塊

EVD封裝模塊是賽晶車規級緊湊的六合一封裝模塊，主要產品種類可同時兼容Si和SiC模塊，采用信號端子的創新工藝和設計，并具有先進的內部SiC芯片并聯排布，以及極低的連接阻抗。

與業界頭部企業相同規格封裝模塊對比，在MOSFET導通電阻方面，賽晶模塊降低10~30%導通電阻；在連接阻抗方面，賽晶模塊封裝阻抗低1/3；在開關損耗方面，相同開關速度下具有相近或者更低的開關損耗。功率模塊達到應用需要同時關注電氣性能和長期運行可靠性，且兼容市場主流產品封裝。

EVD封裝SiC模塊（1200 V）與業界頭部企業相同規格封裝模塊對比主要參數

隨著封裝技術的發展，壓注封裝的HEEV模塊具有低雜感、體積小等特點，能夠將SiC芯片的性能得到更充分的發揮。EVD封裝的產品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產品的系統設計，同時可以有靈活的商務供應。

大會同期展覽

在大會現場，賽晶展示了車規級HEEV封裝SiC模塊，以及i20系列1700V IGBT芯片組、ED封裝模塊、ST封裝模塊、EV封裝模塊，引發與會技術專家和客戶的廣泛關注。體現了賽晶在電驅動領域的強大技術實力。

賽晶展位前，各與會專業人士紛紛前來參觀和咨詢，并與現場技術、銷售人員進行了深入交流。憑借國際一流的技術水平和卓越的性能表現，贏得國內外業內專家和客戶的一致認可和高度贊譽。

賽晶始終堅持自主研發的戰略方向，以“科技創新，推動綠色能源發展”為使命，以業內頂級技術專家團隊為核心，致力于打造國產精品IGBT、SiC產品，服務于電動汽車、新能源發電、工業控制等國家戰略新興產業，為實現人類社會低碳節能、綠色可持續發展做出貢獻。