起源

誓師

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今天的中國，正處于在戰略轉型的關鍵期和決戰期，電動汽車、新能源、軌道交通、智能電網、海洋工程、前沿物理研究等一大批決定中國未來的關鍵技術、戰略新興產業的突破和發展，都離不開IGBT - 這項關鍵功率半導體器件的支撐和助力。然而至今，中國自主IGBT技術仍然遠落后于國外，亟待取得突破，為國家的發展保駕護航。

時勢造英雄，當仁不讓。

今天的賽晶，已經成為了功率半導體及其配套器件國產化自主研發的先鋒。國內首臺自主技術陽極飽和電抗器、大功率電力電子電容器，國際領先的數字式IGBT驅動、層疊母排、固態交直流斷路器、脈沖電源、阻抗測量等一大批高新技術產品，是賽晶堅持“研發驅動發展”戰略而收獲的豐碩成果。

今天的賽晶，已擁有國際一流的技術研發實力。賽晶已經建立了國內三大研發中心、海外三大研發團隊的研發體系。其中，海外IGBT研發團隊的成員，均來自歐洲一流企業，不僅掌握國際最先進的技術理念，也擁有國內稀缺的大規模制造工藝和經驗。可以說，IGBT研發，賽晶是“站在巨人的肩膀上”起步。

不忘初心，方得始終。

今天，終于到了項頡和賽晶去實現夢想的時刻。我們有信心、有決心研發出屬于中國自己的高端IGBT技術和產品，讓那一顆夢想的種子，開出最燦爛的花朵，結出最豐碩的果實。