3月26日，2025上海汽車動力系統技術展覽會在上海舉辦。作為從研發到應用落地的橫跨汽車產業鏈上下游的專業展示平臺，ATC 2025汽車動力、熱管理、測試展匯聚400+國內外汽車總成、零部件行業頭部企業，數萬專業觀眾共聚現場，共話新能源汽車行業未來發展趨勢。

賽晶科技作為新能源產業鏈核心器件和創新技術型企業，攜自主研發IGBT、SiC芯片及模塊亮相并發表主題報告。

本次大會上，賽晶半導體技術支持兼市場總監馬先奎就《高可靠性SiC/Si芯片及其在車規級功率模塊》為主題發表演講，與會者反響熱烈。

賽晶SiC MOSFET芯片，采用多項行業領先的特色設計和工藝，具有高速開關、超低導通電阻，以及高可靠性和良好的溫度特性。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

不僅如此，源于出色的設計和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現出了極佳的靜態和動態特性，并且達到了行業一流水平的1200V/13mΩ@25度(24mΩ@175度)。此外，我們還研發出了1400V/17mΩ產品，以適應更高電驅1000V平臺的發展需求。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶還推出了多規格、型號的車規級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。

HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點，采用壓注封裝且一改經典串聯水冷模式采用并聯無底板設計大大提高了其散熱效率，能夠將SiC芯片的性能得到更充分的發揮，助力客戶實現高達250kW最緊湊電驅的實現。

EVD封裝SiC模塊通過優化內部布局，采用創新的針腳封裝和工藝設計，賽晶模塊MOSFET導通電阻降低10%~30%、封裝阻抗降低約1/3。EVD封裝產品有Si和SiC兩種類型，該產品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產品的系統設計，同時可以有靈活的商務供應。

同期展會上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、SiC芯片，以及針對電動汽車開發的高可靠性HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊、BEVD封裝IGBT模塊。此外，還帶來工業應用產品“ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊和FP封裝IGBT模塊”，受到了與會技術專家和客戶的高度關注，吸引眾多國內外與會者、現場嘉賓的高度關注和深入交流。

隨著科技的飛速發展和全球環保意識的不斷增強，新能源汽車市場正以前所未有的速度演進。賽晶科技憑借國際一流的技術水平和卓越的性能表現，在電動汽車、新能源發電與儲能領域的強大技術實力，贏得國內外業內專家和客戶的一致認可和高度贊譽，為助力和推動新能源汽車行業蓬勃發展，作出應有的貢獻。