2025年4月10日，備受矚目的第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)（ESIE 2025）在北京舉辦。作為儲(chǔ)能行業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo)，本屆展會(huì)匯聚了全球頂尖企業(yè)與前沿技術(shù)，共同探討儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向。賽晶科技作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊，層疊母排、集成母排及電力電子電容器亮相，成為展會(huì)焦點(diǎn)。

儲(chǔ)能作為能源革命的關(guān)鍵支撐技術(shù)，是一種能夠高效存儲(chǔ)并靈活釋放能量的重要手段，在構(gòu)建清潔低碳、安全高效的能源體系進(jìn)程中扮演著極為關(guān)鍵的角色。賽晶自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊，層疊母排、集成母排及電力電子電容器，以其卓越性能在儲(chǔ)能領(lǐng)域大放異彩，吸引眾多國(guó)內(nèi)外與會(huì)者和客戶的高度關(guān)注和深入交流，充分展現(xiàn)了賽晶科技在新能源產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和引領(lǐng)優(yōu)勢(shì)。

賽晶自主研發(fā)ED封裝IGBT模塊，采用i20系列精細(xì)溝槽柵IGBT芯片組，大幅提升均流表現(xiàn)的“直線型”優(yōu)化設(shè)計(jì)，降低損耗，保證芯片匹配性和可靠性，可達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的最大工作結(jié)溫175°C，擁有1200V、1700V等多個(gè)型號(hào)產(chǎn)品。在儲(chǔ)能、新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域具有廣闊市場(chǎng)。

此外，還帶來(lái)采用賽晶i20 IGBT芯片，應(yīng)用于儲(chǔ)能、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的“ST封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、FP封裝IGBT模塊和BEVD封裝IGBT模塊”。以及采用賽晶SiC MOSFET芯片，應(yīng)用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域的高性能模塊產(chǎn)品“HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊”，成為了展會(huì)中的亮點(diǎn)。

同時(shí)，賽晶還展示了多項(xiàng)世界領(lǐng)先的技術(shù)與產(chǎn)品，包括疊層母排、集成母排、電力電子電容器等，以其高效、智能和可持續(xù)的特點(diǎn)，贏得國(guó)內(nèi)外業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。

層疊母排作為配電領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，不僅能夠顯著降低電能損耗，還具備更高的可靠性、耐久性和安全性，同時(shí)大幅減輕系統(tǒng)重量。集成母排則為電池系統(tǒng)和電源應(yīng)用提供了高度集成的解決方案，不僅提升了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，還通過(guò)自動(dòng)化水平的優(yōu)化為客戶節(jié)省了成本。電力電子電容器則廣泛應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、變頻器及柔性直流傳輸?shù)阮I(lǐng)域，為新能源和工業(yè)變頻等應(yīng)用提供了高效支持。

隨著全球?qū)G色能源轉(zhuǎn)型的加速推進(jìn)，儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。賽晶科技憑借國(guó)際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，在儲(chǔ)能、新能源發(fā)電與輸電領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實(shí)力，努力踐行“雙碳”目標(biāo)，為國(guó)家新型電力系統(tǒng)構(gòu)建做出更多貢獻(xiàn)。