11月9日，2024中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨中國電源學會第二十七屆學術(shù)年會及展覽會（CPEEC & CPSSC 2024）在西安舉辦。中國電源學會學術(shù)年會暨展覽會是中國電源界規(guī)模最大、級別最高的學術(shù)、技術(shù)和產(chǎn)業(yè)盛會，已有超過40年歷史。會議旨在促進電力電子、能量轉(zhuǎn)換與電源技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域海內(nèi)外學者和相關(guān)人員的學術(shù)交流， 促進產(chǎn)、學、研的合作，促進相關(guān)產(chǎn)業(yè)及產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)創(chuàng)新和進步。

作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè)，賽晶科技攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊，以及層疊母排、集成母排產(chǎn)品亮相并發(fā)表主題報告。

本次大會上，賽晶半導(dǎo)體技術(shù)支持兼市場總監(jiān)馬先奎就《高可靠性SiC芯片及其在車規(guī)級緊湊封裝功率模塊中的應(yīng)用》為主題發(fā)表演講，與會者反響熱烈。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

賽晶科技SiC MOSFET芯片，采用多項行業(yè)領(lǐng)先的特色設(shè)計和工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高可靠性和良好的溫度特性。

不僅如此，源于出色的設(shè)計和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動態(tài)特性，并且達到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶科技還推出了多規(guī)格、型號的車規(guī)級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。

HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點，能夠?qū)iC芯片的性能得到更充分的發(fā)揮，助力客戶實現(xiàn)高達250kW最緊湊電驅(qū)的實現(xiàn)。

EVD封裝SiC模塊的產(chǎn)品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產(chǎn)品的系統(tǒng)設(shè)計，同時可以有靈活的商務(wù)供應(yīng)。

同期展會上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊，以及層疊母排、集成母排產(chǎn)品。受到了與會技術(shù)專家和客戶的高度關(guān)注，吸引眾多與會者、現(xiàn)場嘉賓的熱烈關(guān)注和深入交流。體現(xiàn)了賽晶在電源技術(shù)領(lǐng)域的強大技術(shù)實力，憑借國際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn)，贏得國內(nèi)外業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認可和高度贊譽。